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王磊

编辑:来源:赌钱网站 日期:2019-01-16点击:917属于:师资队伍
 



名:

位:理学博士

称:副研究员

务:教师

研究方向:纳米磁性薄膜材料和高灵敏度磁传感器件

办公电话:15375422820

E-mail:wl199826@163.com



个人简

      2004年毕业于复旦大学物理系,获得博士学位,随后在中国科学院物理研究所工作,多年来一直从事纳米磁性薄膜材料和器件方面的研究,特别是近年来,主要从事反铁磁磁电阻效应、铁磁/反铁磁交换偏置、巨磁电阻材料及其器件,磁存储材料和器件以及磁性隧道结材料方面的研究工作,在Physical Review B, Applied Physics Letters等国内外核心刊物上发表论文十几篇,以第一发明人和其它合作获得国家发明专利十多个。主持国家自然科学基金项目两项、中国科学院王宽城博士后基金一项,参与国家重点基础研究发展计划973项目一项(“基于自旋和量子效应的纳米磁随机存储器的基础研究”,批准号:1J2006CB93220101)。

在巨磁电阻传感器方面的研制方面,利用巨磁电阻材料制备传感器并与企业合作开发出具有国内领先、世界先进水平的IP67防水数显卡尺,实现产业化,为企业创造了良好的经济效益,该项技术目前世界上只有4家企业拥有,大家是中国的一枝独秀,同时该巨磁电阻传感器技术在大量程,高精度和高防护级别的数显卡尺领域处于世界领先。与此同时,从事与该领域相关的基础研究工作,在铁磁/反铁磁耦合、磁性隧道结和反铁磁磁电阻效应方面取得一系列成果。

承担和参与的主要科研项目:

1. 王宽诚博士后奖励基金:“巨磁电阻和隧道结电阻磁性传感器的研制”;项目负责人(主持)年限:2006.1-2007.12

2. 国家自然科学基金(面上项目):“Mn基反铁磁材料双势垒隧穿各向异性磁电阻效应的研究”;项目负责人(主持)项目批准号:51371007,年限:2014.1-2017.12,资助经费:80

3. 国家自然科学基金(面上项目):“测量极弱磁场(fT)的磁电阻-超导组合多层膜传感器的设计与研制”;项目负责人(主持)项目批准号:60871048,年限:2009.1-2011.12,资助经费:36

4. 入选南京2013年度“321”创新创业领军人才计划,资助经费:100

5. 国家973项目(参与):“磁性隧道结材料、物理及器件研究”;项目组成员项目号:2002CB610601,年限:2002.1-2007.12,资助经费:900万,

6. 科技部“纳米计划”项目(参与):“基于自旋和量子效应的磁和半导体纳米存储与逻辑器件的研究”;项目组成员项目号:2006CB932200,年限:2006.1-2011.12,资助经费:400

  

代表性论文、著作和专利等:

[1] Coercivity enhancement in exchange-biased ferromagnet/FeMn bilayers

Phy.Rev.B66, 184411 (2002)

L.Wang,B You,S.J.Yuan,J.Du,W.Q.Zou,A.Hu and S.M.Zhou

[2] Effect of capping layer on coercivity of permally thin films

Physica Status Solidi 201, 2099(2004)

L. Wang,B You,J.Du,W.T.Sheng,A.Hu and S.M.Zhou

[3] Magnetoresistance effect in antiferromagnet/nonmagnet/antiferromagnet multilayers.

L. Wang, S. G. Wang, S. Rizwan, Q. H. Qin, and X. F. Han

Appl. Phys. Lett.95 (2009) 152512.

[4] Study of Magnetization Reversal by Minor Loops in IrMn/CoFe Exchange-Biased Bilayers

L. Wang, S. G. Wang, Q. H. Qin, and X. F. Han

Journal of nanoscience and nanotechnology11 (2011) 1.

[5] Anomalous Behavior of Coercivity in Ferromagnet/Antiferromagnet Bilayers

L. Wang, S. G. Wang, Q. L. Ma, H. F. Liu, and X. F. Han

Journal of spintronics and Magnetic Nanomaterials 1 (2012) 1.

[6]Domain wall resistance in a Co and Py transversecoercivity heterostructures

configuration

L Wang, R. Y. Zhang, X. J. Wang, W. T. Xu, W. L. Zhao, G. Li, and Y. F. Liu,AIP Advances,2018.1.10, 8(1)

[7]The Domain Wall Resistance in a Doped Py Thin Films,

L Wang,R. Y. Zhang, X. J. Wang, W. T. Xu, W. L. Zhao, G. Li, and Y. F. Liu

Materials Research Express,2018.1.22, 5(1)

获得相关国家发明专利如下:

获得的已授权的国家发明专利:

[1]磁电阻自旋阀温控开关传感器

发明人:王磊丰家峰张谢群韩秀峰

中国发明专利授权号: ZL 200410090613.5           授权日:  2006.11.08

[2]  一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途

发明人:王磊韩秀峰魏红祥、杨捍东、翟光杰

中国发明专利授权号:授权日:2009.10.14

[3]用于电流过载保护器的开关型磁场传感器

发明人:王磊方以坤王天兴韩秀峰

中国发明专利授权号: ZL 2004 1 0090614.X         授权日:  2008.06.04

[4]自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法

发明人:王磊赵静韩宇男韩秀峰

中国发明专利授权号: ZL 200410090615.4            授权日:  2008.02.13

[5]线性磁场传感器及其制作方法

发明人:王磊韩秀峰李飞飞姜丽仙张谢群詹文山

中国发明专利授权号: ZL 200510072052.0             授权日:  2008.12.10

[6]隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器

发明人:王磊岳廷李广

中国发明专利授权号: ZL 200810020486.x              授权日:  2010.2.17

[7] 一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途

发明人:覃启航、韩秀峰、王磊、马明、魏红祥、詹文山

中国发明专利授权号:授权日:

国际发明专利申请号:申请日:

[8]    一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途

发明人:覃启航、韩秀峰、王磊、马明、赖武彦、詹文山

中国发明专利授权号:授权日:.05.04

[9]    一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途

发明人:魏红祥、韩秀峰、赵静、杜关祥、王磊、王荫君

中国发明专利授权号:授权日:.06.24

[10]一种高精度编码器和角度传感器的制备方法

申请人:王磊蔡轲

中国发明专利授权号:201110141385.X授权日2013.5.28

[11]一种具有自动校正功能的电子罗盘制作方法

申请人:王磊董元李良罗清蔡轲

中国发明专利授权号:2012100340502授权日2014.02.17

[12] 一种可提高巨磁电阻效应的自旋阀制备方法

发明人:周仕明王磊杨德政

中国发明专利授权号:授权日:  2007.10.03

[13] 一种磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法

发明人:周仕明袁淑娟王磊

中国发明专利授权号:授权日:  2006.04.19

  

获奖情况




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